法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2020-06-16
授权
授权
2017-10-10
实质审查的生效 IPC(主分类):C04B35/495 申请日:20170526
实质审查的生效
2017-09-12
公开
公开
机译: 将掺杂元素引入硅层中的方法,多晶硅太阳能电池的制造方法,多晶硅薄膜晶体管的制造方法以及将掺杂元素引入硅层中的装置
机译: 用于制造具有在不掺杂的硅膜和高熔点金属膜之间布置的杂质层的半导体器件的方法,以减少所述高熔点金属膜和多晶硅膜之间的固态反应
机译: 通过使用掺杂剂来掺杂晶片,优选地是纯元素或合金的晶片,特别是晶体或多晶硅或锗晶片的掺杂剂的主体掺杂区域涉及提供具有载体膜的掺杂膜。