一种具有极性反转层的LED外延结构及制作方法

摘要

本发明公开了一种具有极性反转层的LED外延结构及制作方法，所述LED外延结构包括：衬底；在所述衬底上以第一方向依次设置的缓冲层、非掺杂氮化镓层、第一N型氮化镓层、多量子阱层和P型氮化镓层，其中，所述第一方向垂直于所述衬底，且由所述衬底指向所述缓冲层；其中，所述多量子阱层包括在所述第一方向上依次设置的氮极性反转层、InGaN层、镓极性反转层和第二N型氮化镓层。该LED外延结构具有较高的内量子效率，光电性能较好。