机译:相邻蓝宝石衬底对通过金属有机化学气相沉积法生长的GaN外延层和LED结构的影响
Institute of Microelectronics and Department of Electrical Engineering, National Cheng Kung University, Tainan 701, Taiwan, ROC;
gallium nitride; vicinal substrate; light emitting diodes;
机译:相邻的蓝宝石衬底对通过金属有机化学气相沉积法生长的N极GaN薄膜性能的影响
机译:通过金属有机化学气相沉积与GaN缓冲层一起生长的稀释磁性Ga_(1-x)Mn_xN / c-蓝宝石外延层的红外光学各向异性
机译:高温缓冲层厚度对通过有机金属化学气相沉积在蓝宝石衬底上生长的AlN外延层质量的影响
机译:等离子体辅助金属化学气相沉积法研究C面蓝宝石衬底上生长的Mg掺杂GaN薄膜的研究
机译:金属化学气相沉积种植的氮化镓外膜中的极性控制
机译:金属有机化学气相沉积在蓝宝石衬底上生长的低Al成分p-GaN / Mg掺杂Al0.25Ga0.75N / n + -GaN极化诱导的反向隧穿结
机译:通过金属有机化学气相沉积在蓝宝石衬底上生长的alN / GaN金属 - 绝缘体 - 半导体结构的电容 - 电压表征