利用臭氧实现碱性体系对硅片刻蚀抛光的方法及设备

摘要

本发明公开了一种利用臭氧实现碱性体系对硅片刻蚀抛光的方法及设备，该方法包括：步骤1、使用臭氧溶液对硅片进行表面处理；2、使用去离子水对硅片进行清洗；3、使用碱液对硅片的下表面及侧面边缘进行刻蚀抛光；4、清洗硅片去除表面污染物；5、使用酸液对硅片进行酸洗；6、清洗硅片去除残留药液；7、烘干硅片。该设备包括槽式设备、链式设备和搬送设备。本发明利用臭氧实现碱性体系对硅片的刻蚀抛光，安全环保、成本低且品质好。