使用溶剂显影光刻工艺用的用于形成有机下层膜的组合物的半导体装置制造方法

摘要

本发明的课题是提供一种使用能够形成良好图案而不发生分辨极限恶化的下层膜材料的半导体装置的制造方法。解决手段是一种半导体装置的制造方法，其特征在于，在半导体基板上形成有机下层膜的工序中，在该有机下层膜上形成无机硬掩模的工序中，在该无机硬掩模上形成抗蚀剂膜的工序中，在通过进行光或电子射线的照射和溶剂显影而形成抗蚀剂图案的工序中，在利用抗蚀剂图案对该无机硬掩模进行蚀刻的工序中，在利用图案化了的无机硬掩模对有机下层膜进行蚀刻的工序中，以及在利用图案化了的有机下层膜对半导体基板进行加工的工序中，该有机下层膜是通过用于形成有机下层膜的组合物的涂布和加热而获得的有机下层膜，所述组合物含有包含有机基团的化合物和有机溶剂，所述有机基团具有选自环氧基、异氰酸酯基、封闭异氰酸酯基和苯并环丁烯环基中的官能团。