提高氮化镓光导型紫外光电探测器响应度方法及探测器

摘要

提高氮化镓光导型紫外光电探测器响应度方法，在GaN表面设有AlN窗口材料，在顶层AlN材料上设有导电电极。在兰宝石衬底材料上生长下述异质结构材料：以低温GaN为缓冲层并外延生长GaN吸收层、AlN窗口层，并在顶层AlN材料上设有导电电极。GaN缓冲层、GaN吸收层、AlN窗口层的厚度分别为15-25nm、1200-2200nm、15-50nm。以上述材料制备垂直入射的光导型探测器。在上述条件下在AlN/GaN异质结界面可以获得强的极化电场。提高了收集效率。