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氮化镓基雪崩探测器暗电流机制的仿真研究

         

摘要

暗电流是影响氮化镓(GaN)雪崩光电探测器性能的一个关键性因素.课题组通过工具软件Sentaurus-TCAD对GaN基雪崩探测器暗电流机制进行了仿真研究,对其暗电流的主要机制:扩散电流、复合电流、隧穿电流、雪崩倍增电流以及表面复合电流进行了总结与分析.将仿真得到的雪崩探测器暗电流特性与实验数据进行对比,发现它们具有很好的吻合性,为学生对GaN探测器暗电流特性的学习和仿真研究提供参考和借鉴.

著录项

  • 来源
    《大学教育》 |2017年第12期|42-46|共5页
  • 作者单位

    南通大学电子信息学院专用集成电路设计重点实验室,江苏 南通 226019;

    南通大学电子信息学院专用集成电路设计重点实验室,江苏 南通 226019;

    南通大学电子信息学院专用集成电路设计重点实验室,江苏 南通 226019;

    南通大学电子信息学院专用集成电路设计重点实验室,江苏 南通 226019;

    南通大学电子信息学院专用集成电路设计重点实验室,江苏 南通 226019;

    南通大学电子信息学院专用集成电路设计重点实验室,江苏 南通 226019;

  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 chi
  • 中图分类 教学理论、教学法;
  • 关键词

    器件模拟仿真; GaN基雪崩探测器; 暗电流机制模型;

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