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一种基于PIN型氮化镓微米线的紫外光电探测器及其制备方法

摘要

本发明涉及一种基于PIN型氮化镓微米线的紫外光电探测器及其制备方法,其采用n型氮化镓微米线核和依次覆盖n型氮化镓微米线核表面的i型氮化镓及p型氮化镓构成了PIN型同质结微米线,并通过n型氮化镓微米线核与下电极接触,p型氮化镓与上电极接触构建了垂直结构的微型化紫外光电探测器。该探测器结构中,沿其微米线直径方向的PIN同质结增加了结的接触面积,增加了空间电荷区的面积,保证光吸收主要发生在空间电荷区,能够有效抑制光生载流子的复合,提高紫外探测器响应度,和更低的暗电流。且同质外延生长的氮化镓,大大提高了材料的晶体质量,降低了缺陷密度,保障了紫外光电探测器的性能。

著录项

  • 公开/公告号CN112614910A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-04-06

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 华南师范大学;

    申请/专利号CN202011494811.3

  • 申请日2020-12-17

  • 分类号H01L31/105(20060101);H01L31/0304(20060101);H01L31/0352(20060101);H01L31/18(20060101);

  • 代理机构11919 北京清控智云知识产权代理事务所(特殊普通合伙);

  • 代理人仵乐娟

  • 地址 510630 广东省广州市天河区中山大道西55号半导体科学与技术研究院

  • 入库时间 2023-06-19 10:29:05

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2023-07-21

    授权

    发明专利权授予

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