公开/公告号CN112614910A
专利类型发明专利
公开/公告日2021-04-06
原文格式PDF
申请/专利权人 华南师范大学;
申请/专利号CN202011494811.3
申请日2020-12-17
分类号H01L31/105(20060101);H01L31/0304(20060101);H01L31/0352(20060101);H01L31/18(20060101);
代理机构11919 北京清控智云知识产权代理事务所(特殊普通合伙);
代理人仵乐娟
地址 510630 广东省广州市天河区中山大道西55号半导体科学与技术研究院
入库时间 2023-06-19 10:29:05
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2023-07-21
授权
发明专利权授予
机译: -iii-氮化物-半导体晶体的制备方法,基于氮化镓的化合物半导体的制备方法,基于氮化镓的化合物半导体,发光器件由基于氮化镓的化合物半导体和使用的光源,发光半导体器件
机译: 光电发光器件(即基于氮化镓的LED)具有p掺杂的平面化层,允许径向注入纳米线中的空穴,以及n型硅衬底,允许轴向注入纳米线中的电子
机译: 获得清洁的或混合的氮化镓的纳米线的方式和用于获得清洁的或混合的氮化镓的纳米线的装置