公开/公告号CN111509062A
专利类型发明专利
公开/公告日2020-08-07
原文格式PDF
申请/专利权人 华南师范大学;
申请/专利号CN202010358975.7
申请日2020-04-29
分类号H01L31/0304(20060101);H01L31/0352(20060101);H01L31/108(20060101);H01L31/18(20060101);
代理机构44679 广州专才专利代理事务所(普通合伙);
代理人曾嘉仪
地址 510000 广东省广州市天河区中山大道西55号
入库时间 2023-12-17 11:49:32
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2020-08-07
公开
公开
机译: -iii-氮化物-半导体晶体的制备方法,基于氮化镓的化合物半导体的制备方法,基于氮化镓的化合物半导体,发光器件由基于氮化镓的化合物半导体和使用的光源,发光半导体器件
机译: 氮化镓/氮化铝镓半导体器件及制造氮化镓/氮化铝镓半导体器件的方法
机译: 基于氮化镓和氮化铝镓半导体异质结构的高功率器件