一种低电阻率锰氧氮抗Cu扩散阻挡层材料

摘要

本发明公开了一种低电阻率锰氧氮抗Cu扩散阻挡层材料，该阻挡层材料为由Mn、O、N三种元素组成的薄膜，其中，各元素的比例为：O原子含量：1份；N原子含量：1.05~1.25份；Mn原子含量：2.45~3.11份，以上原子含量是指的原子数含量。本发明提供的锰氧氮阻挡层材料兼备高导电性和高抗Cu扩散能力的特点，在~2.4 nm的情况下便可在550℃退火30分钟的条件下有效地阻挡Cu的扩散。该材料可以通过调控原子比例实现材料电阻率的控制，并且可以利用与集成电路工艺兼容的磁控溅射沉积技术、化学气相沉积技术和原子层沉积技术等方法制备，工艺简单，易于推广。