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MEMS气体传感器芯片、传感器及传感器的制备方法

摘要

本发明涉及一种MEMS气体传感器芯片、传感器及传感器的制备方法,属于气体检测技术领域,解决了现有技术价格昂贵、响应时间长、环境稳定性差的问题。MEMS气体传感器芯片包括气体敏感单元、温度敏感单元、敏感结构衬底和温度控制单元。MEMS气体传感器,包括MEMS气体传感器芯片和控制电路;控制电路又包括微控制器、N型MOSFET、P型MOSFET、正负电源。微控制器对温度敏感单元采集的实际温度与预设温度进行比较,根据比较结果输出控制信号,控制N型MOSFET和P型MOSFET的通断,进而控制流经温度控制单元的电流方向和大小,改变敏感结构衬底表面的温度。本发明MEMS气体传感器操作简单、通用性强,可同时测量多种气体的浓度,节省了成本,而且响应时间短、环境稳定性好。

著录项

  • 公开/公告号CN108844652B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2020-05-01

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 北京机械设备研究所;

    申请/专利号CN201810400193.8

  • 发明设计人 刘宇航;刘立滨;李平;许诺;

    申请日2018-04-28

  • 分类号G01K7/18(20060101);G01N27/333(20060101);G05D23/22(20060101);

  • 代理机构11386 北京天达知识产权代理事务所(普通合伙);

  • 代理人庞许倩;胡时冶

  • 地址 100854 北京市海淀区永定路50号(北京市142信箱208分箱)

  • 入库时间 2022-08-23 10:57:15

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2020-05-01

    授权

    授权

  • 2018-12-14

    实质审查的生效 IPC(主分类):G01K7/18 申请日:20180428

    实质审查的生效

  • 2018-12-14

    实质审查的生效 IPC(主分类):G01K 7/18 申请日:20180428

    实质审查的生效

  • 2018-11-20

    公开

    公开

  • 2018-11-20

    公开

    公开

  • 2018-11-20

    公开

    公开

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