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一种在图形化衬底上制备银纳米线基透明导电薄膜的方法

摘要

一种在图形化衬底上制备银纳米线基透明导电薄膜的方法,包括以下步骤:制备具有微纳米级结构的图形化衬底;在图形化衬底上通过旋涂法、喷涂法以及旋涂与喷涂结合的方式制备银纳米线基透明导电薄膜,然后在50℃—100℃之间的温度的环境下干燥5min‑30min;在银纳米线基透明导电薄膜制备氧化锌保护层;进行高温热处理,完成制备。本发明具有工艺简单、成本低、可量产化、尺寸可控等优点,更重要的是,制备在图形化衬底上的透明电极具有高散射,更高比表面积等优势,并能在性能上保持高的光透过率,高导电性以及良好的稳定性等特点。

著录项

  • 公开/公告号CN108962497B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2020-04-28

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 东莞市中图半导体科技有限公司;

    申请/专利号CN201810798676.8

  • 申请日2018-07-19

  • 分类号H01B13/00(20060101);

  • 代理机构44102 广州粤高专利商标代理有限公司;

  • 代理人罗晓林;杨桂洋

  • 地址 523000 广东省东莞市松山湖工业北二路4号

  • 入库时间 2022-08-23 10:56:59

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2020-04-28

    授权

    授权

  • 2019-01-01

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01B13/00 申请日:20180719

    实质审查的生效

  • 2019-01-01

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01B 13/00 申请日:20180719

    实质审查的生效

  • 2018-12-07

    公开

    公开

  • 2018-12-07

    公开

    公开

  • 2018-12-07

    公开

    公开

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