应用于多晶黑硅太阳能电池的低压扩散工艺

摘要

本发明涉及一种应用于多晶黑硅太阳能电池的低压扩散工艺，其特征是，包括以下步骤：（1）硅片进管；（2）恒温；（3）低温氧化，在硅片表面生成一层薄的氧化层，使后续磷源沉积更均匀；（4）低温淀积，在硅片表面均匀沉积磷源；（5）高温推进，使磷源向硅片体内扩散；所述高温推进的温度为820‑850℃，氮气流量为1000‑3000sccm，干氧气为0‑1000sccm，炉内压强50‑150mbar，时间10‑20分钟；（6）二次扩散，二次扩散的温度为800‑850℃，氮气流量为1000‑3000sccm，携源氮气为0‑400sccm，干氧气为0‑1000sccm，炉内压强50‑150mbar，时间2‑10分钟；（7）降温；（8）充氮，使管内压力达到大气压，以便炉门开启；（9）出管。本发明改善了多晶黑硅扩散后方块电阻的均匀性。