用于在晶片上对层进行蚀刻的装置和方法

摘要

本发明涉及用于蚀刻的快速气体切换，具体而言，本发明提供了一种用于在具有内部喷射区气体进给装置和外部喷射区气体进给装置的等离子体腔室中对层进行蚀刻的方法。将所述层放置于所述等离子体腔室中。从所述内部喷射区气体进给装置以第一频率提供脉冲蚀刻气体，其中来自所述内部喷射区气体进给装置的脉冲蚀刻气体的流量直线下降至零。从所述外部喷射区气体进给装置以所述第一频率并且在与来自所述内部喷射区气体进给装置的所述脉冲蚀刻气体同时且异相地提供所述脉冲蚀刻气体。在从所述内部喷射区气体进给装置提供所述脉冲蚀刻气体以及从所述外部喷射区气体进给装置提供所述脉冲气体同时，使所述蚀刻气体形成等离子体以对所述层进行蚀刻。