双极非穿通功率半导体装置

摘要

本发明涉及双极非穿通功率半导体装置(1)和对应制造方法。该装置包括半导体晶片(2)以及在晶片(2)的第一主侧(3)上形成的第一电极(35)和在与第一主侧相对的晶片的第二主侧(4)上形成的第二电极(45)。晶片包括不同导电类型的一对层，例如第一导电类型的漂移层(5)以及第二导电类型的第一层(6)，其对第一主侧设置在漂移层上，并且接触第一电极。晶片包括内区(7)以及包围内区的外区(8)。漂移层具有大于或等于外区中的厚度(562)的内区中的厚度(561)。第一层的厚度在内区与外区之间的过渡区(11)的范围上从内区中的第一层的第一段(61)的厚度(615)增加到外区中的最大厚度(625)，其中过渡区的宽度大于第一层的第一段的所述厚度的5倍。