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沟槽栅极沟槽场板垂直MOSFET

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在所描述的示例中，一种具有垂直漏极延伸MOS晶体管(110)的半导体器件(100)可以通过形成深沟槽结构(104)以定义晶体管(110)的至少一个垂直漂移区(108)而形成，使得每个垂直漂移区(108)在至少两个对侧上被深沟槽结构(104)限制。深沟槽结构(104)被间隔开以形成漂移区(108)的RESURF区域。沟槽栅极(114)被形成在衬底(102)中的沟槽内并位于垂直漂移区(108)上方。本体区(118)位于衬底(102)内并在垂直偏移区(108)上方。

著录项

公开/公告号CN105993073B

专利类型发明专利
公开/公告日2020-04-03

原文格式PDF
申请/专利权人德克萨斯仪器股份有限公司;
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申请/专利号CN201480065666.3
发明设计人 M·丹尼森;S·彭德哈卡尔;G·马图尔;
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申请日2014-09-26
分类号
代理机构北京纪凯知识产权代理有限公司;
代理人徐东升
地址美国德克萨斯州
入库时间 2022-08-23 10:54:10

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2020-04-03

授权

授权
2016-11-16

实质审查的生效 IPC(主分类):H01L27/088 申请日:20140926

实质审查的生效
2016-11-16

实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 27/088 申请日:20140926

实质审查的生效
2016-10-05

公开

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2016-10-05

公开

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