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低发散角的超辐射发光二极管结构

摘要

一种低发散角的超辐射发光二极管结构,包括:一衬底;一缓冲层,其制作在衬底上;一无源波导芯层,其制作在缓冲层上;一空间层,其制作在无源波导芯层上;一应变量子阱结构,其制作在空间层上;一缓冲层,其制作在应变量子阱结构上;一电流阻挡层,其制作在应变量子阱结构上;一欧姆接触层,其制作在电流阻挡层的上面,形成基片;两个镀膜,其位于基片两端。本发明可以进一步降低器件的光限制因子,增大器件的等效横向光斑尺寸,降低器件的串联电阻和热阻,提高器件的电光转换效率,减少器件产生的废热,从而有效抑制器件热饱和。

著录项

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2020-03-17

    授权

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  • 2018-09-18

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L33/04 申请日:20180314

    实质审查的生效

  • 2018-09-18

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 33/04 申请日:20180314

    实质审查的生效

  • 2018-08-24

    公开

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  • 2018-08-24

    公开

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  • 2018-08-24

    公开

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