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一种优化氧化物基的阻变存储器性能的方法

摘要

本发明公开了一种优化氧化物基的阻变存储器性能的方法,先获得每个掺杂元素的每个浓度下所述氧化物基阻变存储器对应的缺陷的激活能,然后得到氧化物基阻变存储器的缺陷的激活能和N个掺杂元素的映射关系;在依据此对所述N个掺杂元素进行分类;然后基于分类后的N个掺杂元素和确定出的氧化物基阻变存储器性能参数,确定出所述分类后的N个掺杂元素对所述氧化物基阻变存储器的各个性能参数的映射关系。本发明可以通过不同掺杂物浓度及类型对于激活能的影响来判断掺杂元素对于器件各种性能的影响,最终获得优化阻变存储器性能的最佳方法,从而不需要进行大量的实验测试,过程简单,精确性高。

著录项

  • 公开/公告号CN107221599B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2020-03-10

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 中国科学院微电子研究所;

    申请/专利号CN201710376114.X

  • 发明设计人 卢年端;魏巍;李泠;刘明;

    申请日2017-05-25

  • 分类号

  • 代理机构北京华沛德权律师事务所;

  • 代理人房德权

  • 地址 100029 北京市朝阳区北土城西路3号

  • 入库时间 2022-08-23 10:52:10

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2020-03-10

    授权

    授权

  • 2017-10-31

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L45/00 申请日:20170525

    实质审查的生效

  • 2017-10-31

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 45/00 申请日:20170525

    实质审查的生效

  • 2017-09-29

    公开

    公开

  • 2017-09-29

    公开

    公开

  • 2017-09-29

    公开

    公开

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