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一种提取金属氧化物基阻变存储器载流子输运通道的方法

摘要

本发明公开了一种提取金属氧化物基阻变存储器载流子输运通道的方法,该方法包括:测量金属氧化物基阻变存储器的I‑V曲线,并根据该I‑V曲线确定阻变存储器的低阻态电流值及高阻态电流值;计算在低阻态及高阻态下载流子在导电细丝中跃迁的平均激活能;计算载流子在导电细丝中跃迁时通道的平均激活能;确定载流子输运的缺陷能级及提取载流子输运的通道。本发明操作简单,结果精确,可广泛应用于提取具有不同材料、器件厚度不同的金属氧化物基的阻变存储器的载流子输运通道,如HfO

著录项

  • 公开/公告号CN104361908B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2017-06-16

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 中国科学院微电子研究所;

    申请/专利号CN201410541573.5

  • 发明设计人 卢年端;李泠;刘明;孙鹏霄;

    申请日2014-10-14

  • 分类号

  • 代理机构中科专利商标代理有限责任公司;

  • 代理人任岩

  • 地址 100029 北京市朝阳区北土城西路3号

  • 入库时间 2022-08-23 09:57:29

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2017-06-16

    授权

    授权

  • 2015-03-25

    实质审查的生效 IPC(主分类):G11C 29/04 申请日:20141014

    实质审查的生效

  • 2015-02-18

    公开

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