一种硅单晶生长掺杂剂浓度稳定控制方法

摘要

本发明技术提供一种硅单晶生长掺杂剂浓度稳定控制方法，将多晶硅在高纯石英模具中铸造成一个多晶浸溶筒，多晶硅浸溶筒上部分为一个环形的上盖，与热屏连接，下部为一个圆筒形状的浸溶部分，具有通孔。多晶硅中含有与目标成分相同的掺杂元素。多晶浸溶筒在熔体表面烘烤到1400℃以上后，在晶体等径生长过程中浸入到硅熔体中熔体，并采用振荡提高熔化均匀性，熔化量的速度与晶体的生长速度相同。浸溶筒在浸溶的过程中，进行上下的振荡，振荡使熔化均匀，同时也使熔体中的氧更加容易挥发。晶体生长过程中，硅熔体的液面保持不变，热场稳定。晶体生长后，晶体中的掺杂元素浓度在加入浸入过程后，保持相同。