用于用多个金属层填充高纵横比的窄结构的技术以及相关联的配置

摘要

本公开内容的实施例描述了一种用于用多个金属层来填充高纵横比的窄结构的技术以及相关联的配置。在一个实施例中，一种装置包括：包括半导体材料的晶体管结构；具有被限定在晶体管结构上方的凹陷部的电介质材料，凹陷部在第一方向上具有高度；被设置在凹陷部中并与晶体管结构耦合电极端子，其中，电极端子的第一部分包括与晶体管结构直接接触的第一金属，并且电极端子的第二部分包括设置在第一部分上的第二金属，并且其中，第一部分与第二部分之间的界面是平面的并且在第二方向上延伸跨过凹陷部，第二方向实质上垂直于第一方向。可以描述和/或请求保护其它实施例。