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利用真空蒸发镀膜可控制备结构梯度定向生长Sb-Bi-Te膜的方法

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本发明涉及一种利用真空蒸发镀膜可控制备结构梯度定向生长Sb‑Bi‑Te膜的方法，包括步骤：(1)将(Bi

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公开/公告号CN108103439B

专利类型发明专利
公开/公告日2020-01-21

原文格式PDF
申请/专利权人天津科技大学;
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申请/专利号CN201711444500.4
发明设计人谭明;郝延明;谢宁;秦月婷;焦永芳;郭婷婷;李天晶;
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申请日2017-12-27
分类号
代理机构天津市三利专利商标代理有限公司;
代理人刘英兰
地址 300222 天津市河西区大沽南路1038号
入库时间 2022-08-23 10:49:16

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2020-01-21

授权

授权
2018-06-26

实质审查的生效 IPC(主分类):C23C14/06 申请日:20171227

实质审查的生效
2018-06-26

实质审查的生效 IPC(主分类):C23C 14/06 申请日:20171227

实质审查的生效
2018-06-01

公开

公开
2018-06-01

公开

公开
2018-06-01

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