公开/公告号CN105814690B
专利类型发明专利
公开/公告日2020-01-21
原文格式PDF
申请/专利权人 ABB瑞士股份有限公司;
申请/专利号CN201480068737.5
申请日2014-12-03
分类号H01L29/06(20060101);H01L29/78(20060101);H01L29/739(20060101);H01L21/336(20060101);H01L21/331(20060101);H01L29/40(20060101);
代理机构72001 中国专利代理(香港)有限公司;
代理人张金金;刘春元
地址 瑞士巴登
入库时间 2022-08-23 10:49:07
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2020-01-21
授权
授权
2018-06-05
专利申请权的转移 IPC(主分类):H01L29/06 登记生效日:20180516 变更前: 变更后: 申请日:20141203
专利申请权、专利权的转移
2018-06-05
专利申请权的转移 IPC(主分类):H01L 29/06 登记生效日:20180516 变更前: 变更后: 申请日:20141203
专利申请权、专利权的转移
2016-11-23
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L29/06 申请日:20141203
实质审查的生效
2016-11-23
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/06 申请日:20141203
实质审查的生效
2016-11-23
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/06 申请日:20141203
实质审查的生效
2016-07-27
公开
公开
2016-07-27
公开
公开
2016-07-27
公开
公开
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机译： 制造用于碳化硅半导体器件的边缘终止结构的方法
机译： 碳化硅功率半导体器件的边缘终止的制造方法
机译： 具有边缘终止结构的半导体器件及其制造方法
