デバイスの微細構造を形成するためのキーテクノロジーとなるエッチング技術急速に進歩する半導体製造技術に対応する

摘要

半導体デバイスは，1個のトランジスタが小さけれ ば小さいほど，動作スピードが速くなり，また，1チップ当たりのトランジスタ数が多ければ多いほ ど，大容量の情報を速く処理することができる。従 って，デバイスの性能向上には，－つのトランジス タを小型化することにより，多数のトランジスタを 搭載することが必要となる。半導体の製造工程では， トランジスタを形成する絶縁膜などの薄膜が不可欠 であり，形成された薄膜層をリソグラフィとエッチ ング操作を何度も繰り返すことにより，何層もの薄 膜から構成されるトランジスタができる。トランジスタが小さくなるにつれ，配線用の孔や溝の線幅も 微細化し，より細く深い孔を精度よく形成しなけれ ばならず，エッチングは半導体製造の中でも重要な 工程となる。