半导体器件的形成方法、双沟道刻蚀方法及半导体器件

摘要

本申请实施例公开了一种半导体器件的形成方法、双沟道刻蚀方法及半导体器件，其中，导体器件的形成方法包括：提供待处理的半导体结构，所述待处理的半导体结构包括至少两个芯轴和位于每两个相邻芯轴之间的芯轴孔；沿所述芯轴孔的延伸方向沉积多晶硅材料，形成间隔层；以所述间隔层为掩膜，分别对所述芯轴和所述芯轴孔底部的待刻蚀层进行刻蚀，形成具有至少两个沟道孔的半导体器件。