公开/公告号CN100356908C
专利类型发明授权
公开/公告日2007-12-26
原文格式PDF
申请/专利权人 莫诺索尔克斯有限公司;
申请/专利号CN200480008183.6
申请日2004-01-30
分类号A61K9/70(20060101);A61K47/30(20060101);
代理机构31100 上海专利商标事务所有限公司;
代理人余颖
地址 美国印第安纳州
入库时间 2022-08-23 09:00:08
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2018-12-14
专利权人的姓名或者名称、地址的变更 IPC(主分类):A61K 9/70 变更前: 变更后: 申请日:20040130
专利权人的姓名或者名称、地址的变更
2007-12-26
授权
授权
2007-12-26
授权
授权
2006-06-14
实质审查的生效
实质审查的生效
2006-06-14
实质审查的生效
实质审查的生效
2006-04-26
公开
公开
2006-04-26
公开
公开
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机译: 利用原子层沉积和由其制造的分子磁体薄膜制造具有高均匀性的过渡金属有机自由基分子薄膜的方法
机译: 制造具有非超导区域的氧化物超导体的超导电薄膜的制造方法,利用超导电薄膜的超导电装置的制造方法以及由其制造的超导电薄膜的制造方法
机译: 制造在其中具有非超导区域的氧化物超导体制成的超导薄膜的方法,利用超导薄膜制造超导器件的方法以及由其制造的超导薄膜制造方法