用于FINFET的栅极替代工艺

摘要

一种形成半导体器件的方法包括：蚀刻衬底以形成由鳍分开的两个第一沟槽；用隔离层填充两个第一沟槽；以及在鳍和隔离层上方沉积介电层。该方法还包括在半导体器件的沟道区域上方的介电层中形成第二沟槽，第二沟槽暴露隔离层。该方法还包括通过第二沟槽蚀刻隔离层以暴露半导体器件的沟道区域中的鳍的上部，并且在隔离层上方的第二沟槽中形成伪栅极且伪栅极接合鳍的上部。本发明实施例涉及用于FINFET的栅极替代工艺。