一种过渡金属硫族化合物二维原子晶体的可控减薄方法

摘要

本发明提供一种过渡金属硫族化合物二维原子晶体的可控减薄方法，所述减薄方法为：将层状过渡金属硫族化合物材料首先在氯金酸溶液中浸泡一定时间，之后将其取出，在水中浸泡一定时间。去除样品表面的残留水分后，即得到减薄后的过渡金属硫族化合物材料原子晶体。所述减薄方法采用氯金酸对层状材料进行处理，能够快速地对其进行减薄，所述方法具有操作简单、减薄速度快、可控性好、对样品质量无损等优点，能够制备出薄层大面积渡金属硫族化合物二维原子晶体。