一种具有多凹陷缓冲层的4H-SiC金属半导体场效应晶体管

摘要

本发明属于场效应晶体管技术领域，特别公开了一种具有多凹陷缓冲层的4H‑SiC金属半导体场效应晶体管；目的在于提高场效应晶体管的击穿电压和跨导参数，改善直流特性。采用的技术方案为：自下而上包括4H‑SiC半绝缘衬底、P型缓冲层、N型沟道层，N型沟道层的两侧分别为源极帽层和漏极帽层，源极帽层和漏极帽层表面分别是源电极和漏电极，N型沟道层上方且靠近源极帽层的一侧形成栅电极，所述缓冲层的上端面在栅电极及栅源下方，栅漏下方靠近栅极的一侧，栅漏下方靠近漏极帽层的一侧分别设有三个缓冲层凹陷区，三个缓冲层凹陷区的深度均为0.15μm，长度分别为1.2μm，0.1μm，0.5μm。