一种晶圆硅通孔填充方法

摘要

本发明公开了一种晶圆硅通孔填充方法，包括如下步骤：根据第一参数对晶圆硅通孔进行第一次电镀处理，以填充所述晶圆硅通孔，其中第一参数包括至少一个第一电流值；根据第二参数对晶圆硅通孔进行第一次电镀处理，以补充对晶圆硅通孔进行补充填充，其中第二参数包括至少一个第二电流值，且至少一部分第二电流值大于第一电流值。本发明对尚未完全填充的TSV实现最终的完全填充，降低材料损失，减少工艺成本。