具有可交换栅极/通道晶体管的存储器元件与其制造方法

摘要

本发明公开了一种具有可交换栅极/通道晶体管的存储器元件与其制造方法，该存储器元件包括一底导电线、一叠层结构、一侧氧化层、一介电层以及一侧半导体层。叠层结构设置于底导电线上。叠层结构包括一第一半导体层、一第二半导体层及多个氧化层。第二半导体层设置于第一半导体层之上。多个氧化层第一半导体层与第二半导体层交互叠层。侧氧化层设置于第一半导体层的两侧壁。介电层设置于叠层结构上。侧半导体层设置于介电层上。