一种IGBT硅片背面退火方法

摘要

本发明提出一种IGBT硅片背面退火方法，包括下列步骤：完成IGBT硅片的正面工艺；对所述硅片背面进行减薄工艺，将其研磨至所需厚度；将减薄后硅片的器件面与基底进行有机胶临时键合；对所述硅片进行离子注入；对所述硅片背面进行退火处理；进行临时解键合工艺，将硅片与基底分离；所述基底的的材料为玻璃基底，厚度为100～500μm。本发明提出的IGBT硅片背面退火方法，采用808nm+双527nm激光波长组合，利用键合基底对底部硅片的热量起到阻热作用，间接提供了底部预热功能，同样可以实现大结深IGBT退火工艺需求。