公开/公告号CN106384734B
专利类型发明专利
公开/公告日2019-12-03
原文格式PDF
申请/专利权人 武汉新芯集成电路制造有限公司;
申请/专利号CN201611113099.1
申请日2016-12-07
分类号
代理机构上海思微知识产权代理事务所(普通合伙);
代理人屈蘅
地址 430205 湖北省武汉市东湖开发区高新四路18号
入库时间 2022-08-23 10:44:48
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2019-12-03
授权
授权
2017-03-08
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L27/02 申请日:20161207
实质审查的生效
2017-03-08
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 27/02 申请日:20161207
实质审查的生效
2017-02-08
公开
公开
2017-02-08
公开
公开
机译: 集成电路的高伸长率导电结构,形成电容器阵列的方法,DRAM电路的形成方法以及集成电路的高伸长率导电结构的形成方法
机译: 具有低耐压器件和高耐压器件的介电绝缘型半导体集成电路
机译: 利用具有高应力特性的绝缘层改善NMOS和PMOS晶体管载流子迁移率的CMOS集成电路的形成方法