首页> 中国专利> 基于非晶氮化物薄膜的宽谱光电探测器件及其制备方法

基于非晶氮化物薄膜的宽谱光电探测器件及其制备方法

页面导航

摘要

本发明涉及一种基于非晶氮化物薄膜的宽谱光电探测器件及其制备方法，所述光电探测器件包括顶电极、非晶氮化物半导体层、p型硅层以及底电极，其p型硅层与非晶氮化物半导体层构成异质结。其中非晶氮化物半导体层为非晶SnN

查看全部

1. 基于非晶氮化物薄膜的宽谱光电探测器件及其制备方法 [P] . 中国专利： CN109004057B . 2019.11.12
2. 基于非晶氮化物薄膜的宽谱光电探测器件及其制备方法 [P] . 中国专利： CN109004057A . 2018-12-14
3. Amorphous and nano nitride composite thin film, method for forming the same, and electronic device having the same [P] . 美国专利： US10087514B2 . 2018-10-02

机译：非晶和纳米氮化物复合薄膜，其形成方法以及具有该薄膜的电子器件
4. Amorphous and nano nitride composite thin film method for forming the same and electronic divice with the same [P] . KR20210083230A . 2021-07-06

机译：用于形成相同和电子器件的非晶和纳米氮化物复合薄膜方法
5. METHOD FOR PRODUCING A DEVICE BASED ON NANOCRYSTALS COATED WITH A CVD-BASED NITRIDE LAYER [P] . 法国专利： FR2910176A1 . 2008-06-20

机译：基于化学镀有氮化物层的纳米晶的器件制备方法