首页> 中国专利> 用于稳定蚀刻后界面以使下一处理步骤之前的队列时间问题最小化的方法

用于稳定蚀刻后界面以使下一处理步骤之前的队列时间问题最小化的方法

摘要

提供了用于使用低温蚀刻工艺以及后续的界面保护层沉积工艺来蚀刻设置在基板上的电介质阻挡层的方法。在一个实施例中,用于蚀刻设置在基板上的电介质阻挡层的方法包括以下步骤:将基板转移至蚀刻处理腔室中,所述基板具有设置在所述基板上的电介质阻挡层;对电介质阻挡层执行处理工艺;在供应至蚀刻处理腔室中的蚀刻气体混合物中远程地生成等离子体以蚀刻设置在所述基板上的经处理电介质阻挡层;对所述电介质阻挡层进行等离子体退火以将所述电介质阻挡层从所述基板去除;以及将所述电介质阻挡从所述基板去除之后,形成界面保护层。

著录项

  • 公开/公告号CN105745740B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2019-11-26

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 应用材料公司;

    申请/专利号CN201480051107.7

  • 发明设计人 S·D·耐马尼;P·古帕拉加;T·越泽;

    申请日2014-07-28

  • 分类号H01L21/3065(20060101);H01L21/02(20060101);

  • 代理机构31100 上海专利商标事务所有限公司;

  • 代理人黄嵩泉

  • 地址 美国加利福尼亚州

  • 入库时间 2022-08-23 10:44:01

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2019-11-26

    授权

    授权

  • 2016-11-02

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/3065 申请日:20140728

    实质审查的生效

  • 2016-11-02

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/3065 申请日:20140728

    实质审查的生效

  • 2016-07-06

    公开

    公开

  • 2016-07-06

    公开

    公开

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