Ag合金膜及其制造方法、Ag合金溅射靶以及层叠膜

摘要

本发明的Ag合金膜在0.1原子％以上且5.0原子％以下的范围内含有Ti，在合计0.1原子％以上且与Ti的总计成为10.0原子％以下的范围内含有选自Cu、Sn、Mg、In、Sb、Al、Zn、Ge、Ga中的至少一种元素，剩余部分由Ag及不可避免的杂质构成，且Na、Si、V、Cr、Fe、Co的合计含量为100质量ppm以下。