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具有不同厚度过渡金属二硫属化物层的装置和制造方法

摘要

本发明是关于具有不同厚度过渡金属二硫属化物层的装置和制造方法。根据本发明的一实施例为一种结构,其包含:在衬底的第一区中的第一有源装置,所述第一有源装置包含二维(2‑D)材料的第一层,所述第一层具有第一厚度;和在所述衬底的第二区中的第二有源装置,所述第二有源装置包含所述2‑D材料的第二层,所述第二层具有第二厚度,所述2‑D材料包含过渡金属二硫属化物TMD,所述第二厚度与所述第一厚度不同。

著录项

  • 公开/公告号CN106560924B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2019-11-15

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 台湾积体电路制造股份有限公司;

    申请/专利号CN201510853099.4

  • 发明设计人 叶凌彦;王昭雄;杨育佳;

    申请日2015-11-30

  • 分类号H01L27/088(20060101);H01L29/24(20060101);H01L21/8256(20060101);

  • 代理机构11287 北京律盟知识产权代理有限责任公司;

  • 代理人路勇

  • 地址 中国台湾新竹市新竹科学工业园力行六路8号

  • 入库时间 2022-08-23 10:43:35

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2019-11-15

    授权

    授权

  • 2017-05-10

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L27/088 申请日:20151130

    实质审查的生效

  • 2017-05-10

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 27/088 申请日:20151130

    实质审查的生效

  • 2017-04-12

    公开

    公开

  • 2017-04-12

    公开

    公开

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