公开/公告号CN106560924B
专利类型发明专利
公开/公告日2019-11-15
原文格式PDF
申请/专利权人 台湾积体电路制造股份有限公司;
申请/专利号CN201510853099.4
申请日2015-11-30
分类号H01L27/088(20060101);H01L29/24(20060101);H01L21/8256(20060101);
代理机构11287 北京律盟知识产权代理有限责任公司;
代理人路勇
地址 中国台湾新竹市新竹科学工业园力行六路8号
入库时间 2022-08-23 10:43:35
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2019-11-15
授权
授权
2017-05-10
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L27/088 申请日:20151130
实质审查的生效
2017-05-10
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 27/088 申请日:20151130
实质审查的生效
2017-04-12
公开
公开
2017-04-12
公开
公开
机译: 过渡金属硫属化物的制备方法过渡金属硫属化物和包含该过渡金属硫属化物的装置
机译: 二维过渡金属硫属化物纳米结构,包括该装置的装置以及制备二维过渡金属硫属化物纳米结构的方法
机译: 二维过渡金属硫属化物纳米结构,包括该装置的装置和制备二维过渡金属硫属化物纳米结构的方法