GaN/Si异质结侧向型光控IMPATT二极管及其制备方法

摘要

本发明公开了一种GaN/Si异质结侧向光控IMPATT二极管及其制备方法。首先，确定n型GaN的晶型及材料参数、p型Si材料参数，根据目标IMPATT二极管的工作频率计算出n区、p区的长度；其次，选择当前晶型(p)Si晶片为衬底，按照n区、p区长度在衬底上分别形成n⁺、n、p⁺阱，且在对应阱中生长当前晶型(n⁺)GaN、(n)GaN、(p⁺)Si；然后，氧化形成Ga₂O₃、SiO₂保护层，覆盖遮光层，分别蚀刻出第一、第二空隙，生成正、负电极；最后，蚀刻出第三空隙，引入光照调控目标IMPATT二极管的性能，得到目标IMPATT二极管。实施本发明，实现可见光、紫光调控目标IMPATT二极管的性能。