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液晶显示面板前段阵列制造工艺中第一道光刻腐蚀方法

摘要

一种液晶显示面板前段阵列制造工艺中的第一道光刻腐蚀方法,包括以下步骤:在玻璃基板上沉积Mo/AlNd或MoW/AlNd或MoW/Al双层金属层,接着以光致抗蚀剂定义出栅极以及字元线的图案,随后再分别以含氧/含氟(SiF6/O2)混合蚀刻气体以及氧气/含氯混合蚀刻气体,蚀刻出具有稍微倾斜侧壁的金属线条,通过(1)增加蚀刻均匀度;(2)拉大Mo与AlNd的蚀刻选择比;(3)提高制造工艺压力;(4)增加Mo蚀刻速率,加大与AlNd的蚀刻选择比,减少光致抗蚀剂灰化速率,使侦测上盖层Mo金属蚀刻终点得以704nm波长蚀刻终点侦测器执行。

著录项

  • 公开/公告号CN100363839C

    专利类型发明授权

  • 公开/公告日2008-01-23

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 友达光电股份有限公司;

    申请/专利号CN03131175.X

  • 发明设计人 庄智强;郭行健;郑朝云;吴淑芬;

    申请日2003-05-16

  • 分类号G03F7/40(20060101);G02F1/136(20060101);

  • 代理机构11105 北京市柳沈律师事务所;

  • 代理人马高平;杨梧

  • 地址 台湾省新竹市

  • 入库时间 2022-08-23 09:00:02

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2008-01-23

    授权

    授权

  • 2005-01-26

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2004-11-24

    公开

    公开

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