一种压阻式MEMS传感器制作方法

摘要

本发明公开一种压阻式MEMS传感器制作方法，包括以下步骤：取P型单晶硅作为衬底，对衬底顶面各向异性腐蚀形成MEMS传感器所需的空腔；取第一SOI硅片，将第一SOI硅片的顶层硅与衬底顶面硅硅键合；去除第一SOI硅片的衬底硅与埋氧层；双面热氧化，形成上、下介质隔离层；在第一SOI硅片的顶层硅制作传感器敏感结构的主梁；取第二SOI硅片，将第二SOI硅片的顶层硅与上介质隔离层硅硅键合；去除第二SOI硅片的衬底硅与埋氧层；在第二SOI硅片的顶层硅制作传感器的压敏电阻区，形成压阻式MEMS传感器的敏感结构；本发明采用两片SOI硅片分别制作敏感结构的主梁与敏感梁，通过介质隔离层实现压敏电阻与衬底的介质隔离，避免了传统PN结隔离的缺陷，提高了传感器的耐高温性能。