通过像素级结合中的结合通孔形成的反馈电容器

摘要

本申请案涉及一种通过像素级结合中的结合通孔形成的反馈电容器。图像传感器包含安置在第一半导体材料中的光电二极管，且所述光电二极管经定位以通过所述第一半导体材料的背侧吸收图像光。第一浮动扩散部安置为靠近所述光电二极管，并经耦合以响应于施加到安置在所述光电二极管与所述第一浮动扩散部之间的转移栅极的转移信号而从所述光电二极管接收图像电荷。包含第二浮动扩散部的第二半导体材料安置为靠近所述第一半导体材料的前侧。电介质材料安置在所述第一半导体材料与所述第二半导体材料之间，并且包含从所述第一浮动扩散部延伸到所述第二浮动扩散部的第一结合通孔，横向靠近所述第一结合通孔地安置的第二结合通孔，及横向靠近所述第一结合通孔地安置的第三结合通孔。