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集成的薄膜电阻器和MIM电容器

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在所描述的示例中，一种电子器件包括具有后端电容器(122)和后端薄膜电阻器(126)的半导体结构(102)。该半导体结构(102)包括第一介电层(106)、电容器(122)的底板(134)以及薄膜电阻器主体(132)。底板(134)和电阻器主体(132)是同一薄膜层(108)的横向间隔开的部分。底板(134)还包括覆盖在薄膜层(108)上的导电层(110)。第二介电层(124)被设置在电容器(122)的底板(134)的导电层(110)上。电容器(122)的顶板(120)被设置在第二介电层(124)上。

著录项

公开/公告号CN106463507B

专利类型发明专利
公开/公告日2019-09-24

原文格式PDF
申请/专利权人德克萨斯仪器股份有限公司;
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申请/专利号CN201580022877.3
发明设计人 C·迪内克尔;
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申请日2015-05-05
分类号
代理机构北京纪凯知识产权代理有限公司;
代理人徐东升
地址美国德克萨斯州
入库时间 2022-08-23 10:41:04

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2019-09-24

授权

授权
2017-04-26

实质审查的生效 IPC(主分类):H01L27/102 申请日:20150505

实质审查的生效
2017-04-26

实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 27/102 申请日:20150505

实质审查的生效
2017-02-22

公开

公开
2017-02-22

公开

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