首页> 中国专利> 一种原子层沉积反应装置及通孔材料表面薄膜沉积工艺

一种原子层沉积反应装置及通孔材料表面薄膜沉积工艺

摘要

本发明涉及本发明提供一种原子层沉积反应腔体设计装置以及针对超高深宽比通孔材料表面均匀镀膜工艺,其中,原子层沉积反应腔体设计装置包括:进气系统、排气系统、上反应腔、下反应腔、基板;其中,基板位于上反应腔内,进气系统用于提供所需反应前驱体和净化气体,反应前驱体和净化气体进入所述上反应腔,排气系统用于清除多余反应前驱体和净化气体,经所述下反应腔排除。本发明可以解决超高深宽比通孔材料内部表面无法均匀沉积镀膜问题。

著录项

  • 公开/公告号CN107022753B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2019-09-27

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 同济大学;

    申请/专利号CN201710256523.6

  • 发明设计人 程传伟;张海峰;

    申请日2017-04-19

  • 分类号C23C16/455(20060101);

  • 代理机构31225 上海科盛知识产权代理有限公司;

  • 代理人王小荣

  • 地址 200092 上海市杨浦区四平路1239号

  • 入库时间 2022-08-23 10:40:29

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2019-09-27

    授权

    授权

  • 2017-09-01

    实质审查的生效 IPC(主分类):C23C16/455 申请日:20170419

    实质审查的生效

  • 2017-09-01

    实质审查的生效 IPC(主分类):C23C 16/455 申请日:20170419

    实质审查的生效

  • 2017-08-08

    公开

    公开

  • 2017-08-08

    公开

    公开

  • 2017-08-08

    公开

    公开

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