结型栅场效应晶体管(JFET)、半导体器件及其制造方法

摘要

一种结型栅场效应晶体管(JFET)包括：衬底；源极区，形成在衬底中；漏极区，形成在衬底中；沟道区，形成在衬底中；以及至少一个栅极区，形成在衬底中。沟道区将源极区与漏极区连接。至少一个栅极区在界面处接触源极区和漏极区中的一个，并且至少一个栅极区与源极区和漏极区中的另一个隔离。介电层覆盖界面，同时暴露源极区和漏极区中的一个的一部分以及栅极区的一部分。本发明还提供了半导体器件及其制造方法。