机译:用于器件/电路优化的紧凑型双栅金属氧化物半导体场效应晶体管模型
Hiroshima University, Higashihiro- shima-shi, 739-8530 Japan;
double gate MOSFET; HiSIM; circuit simulation; volume in version;
机译:掺杂短沟道全耗尽对称双栅金属氧化物半导体场效应晶体管的紧凑电流建模
机译:通用非对称双栅极金属氧化物半导体场效应晶体管的显式紧凑型表面电势和漏极电流模型
机译:严格扰动方法和高阶校正的双栅极金属氧化物半导体场效应晶体管的改进紧凑模型
机译:掺杂双体对称双栅金属氧化物半导体场效应晶体管电流-电压特性的建模研究
机译:对绝缘体上硅CMOS器件和电路(包括双栅MOSFET)的基于过程的紧凑建模和分析。
机译:双门等腰梯形隧道场效应晶体管(DGIT-TFET)的设计优化
机译:横向的紧凑和明确的物理模型 具有纳机电的金属氧化物半导体场效应晶体管 基于系统的谐振门
机译:数字电路中的金属氧化物半导体场效应晶体管