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公开/公告号CN214152896U
专利类型实用新型
公开/公告日2021-09-07
原文格式PDF
申请/专利权人 北京交通大学;泰科天润半导体科技(北京)有限公司;
申请/专利号CN202023183144.5
发明设计人 邵天骢;李志君;郑琼林;黄波;王俊兴;
申请日2020-12-25
分类号H01L25/07(20060101);H03K19/0175(20060101);
代理机构35212 福州市鼓楼区京华专利事务所(普通合伙);
代理人王牌
地址 100000 北京市海淀区西直门外上园村3号
入库时间 2022-08-23 00:12:44
机译: 绝缘栅型功率半导体元件的栅驱动电路
机译: 绝缘栅型功率半导体器件的栅极驱动电路
机译:使用双栅金属氧化物半导体场效应晶体管的宽带互补金属氧化物半导体单刀双掷开关具有改进的功率处理能力
机译:单栅和双栅操作的(110)取向超薄绝缘体上硅n型金属氧化物半导体场效应晶体管迁移率的实验研究
机译:双间隔物对栅全硅纳米线P型金属氧化物半导体场效应晶体管的电气特性对电特性和随机电报噪声的影响
机译:掺杂双体对称双栅金属氧化物半导体场效应晶体管电流-电压特性的建模研究
机译:双极结型晶体管,MOSFET,功率运算放大器和真空管音频功率放大器设计的比较。
机译:L型隧道场效应晶体管中使用叠栅抑制双极电流的研究
机译:双栅双层石墨烯中增强的热电功率
机译:最近的功率金属氧化物半导体场效应晶体管(mOsFET)测试结果。