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公开/公告号CN111404529A
专利类型发明专利
公开/公告日2020-07-10
原文格式PDF
申请/专利权人 电子科技大学;
申请/专利号CN202010257376.6
发明设计人 明鑫;许齐飞;毛帅;冯旭东;王卓;张波;
申请日2020-04-03
分类号
代理机构成都点睛专利代理事务所(普通合伙);
代理人葛启函
地址 611731 四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号
入库时间 2023-12-17 10:46:11
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2020-08-04
实质审查的生效 IPC(主分类):H03K17/567 申请日:20200403
实质审查的生效
2020-07-10
公开
机译: 场效应半导体器件,例如耗尽型沟槽栅FET,具有嵌入绝缘层附近的n型半导体本体中并连接到栅电极的p型区域
机译: 绝缘栅型功率半导体器件的栅极驱动电路
机译:超薄屏障AlGaN / GaN异质结构:用于制造和整合GaN的功率器件和动力驱动电路的无凹陷技术
机译:迄今为止,GaN(氮化镓)GaN功率器件的吸引力在于:GaN功率器件的潜力,器件的功能以及实现收益的专有技术
机译:MOS耗尽型晶闸管:一种新型MOS控制的双极功率器件
机译:先进的双栅完全耗尽型绝缘体上硅(DG-FDSOI)器件以及该器件对电路设计和电源管理的影响
机译:GaN-On-GaN垂直功率器件的电子显微镜表征= GaN-On-GaN垂直功率器件的电子显微镜表征
机译:Al2O3 / GaN MOS器件深耗尽区中通过电导方法研究体陷阱
机译:一种降压 - 升压转换器,用于需要1200V器件的光伏应用中使用600V GaN功率器件
机译:结合GaN衬底热边界电阻的氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEmT)器件的混合多栅模型。