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一种耗尽型GaN功率器件的分段直接栅驱动电路

摘要

一种耗尽型GaN功率器件的分段直接栅驱动电路,利用快速充电模块将GaN功率器件栅极电压从负压关断电平充电至GaN功率器件阈值电压;当GaN功率器件栅极电压充电至GaN功率器件阈值电压后,电流镜充电模块先开启小于N个的充电电流镜模块将GaN功率器件栅极电压从GaN功率器件阈值电压充电至GaN功率器件米勒平台电压,再开启N个充电电流镜模块将GaN功率器件栅极电压从GaN功率器件米勒平台电压充电至零电平;随后栅极电压保持模块将GaN功率器件栅极电压钳位在零电平;放电模块利用M条放电通路对GaN功率器件栅极电压进行放电,使得GaN功率器件栅极电压从零电平放电至负压关断电平。通过控制M条放电通路的选通调整GaN功率器件栅极电压的放电速度。

著录项

  • 公开/公告号CN111404529A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2020-07-10

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 电子科技大学;

    申请/专利号CN202010257376.6

  • 申请日2020-04-03

  • 分类号

  • 代理机构成都点睛专利代理事务所(普通合伙);

  • 代理人葛启函

  • 地址 611731 四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号

  • 入库时间 2023-12-17 10:46:11

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2020-08-04

    实质审查的生效 IPC(主分类):H03K17/567 申请日:20200403

    实质审查的生效

  • 2020-07-10

    公开

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