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低成本芯片背部硅通孔互连结构及其制备方法

摘要

本发明公开了一种低成本芯片背部硅通孔互连结构及其制备方法;该互连结构包括至少一正面带有焊垫的芯片,芯片背面形成有对应焊垫的通孔,通孔的底部开口暴露焊垫且尺寸小于焊垫的尺寸;芯片背面及通孔的侧壁上覆盖有绝缘层;通孔的底部开口暴露的焊垫表面上采用化镀的方法形成有一定厚度的金属层;通孔内采用非电镀的方法填充满了导电材料。本发明无需要化镀硅通孔侧壁,并可避免使用深孔物理气相沉积及深孔电镀,具有成本低、工艺简单和可靠性高等优点。

著录项

  • 公开/公告号CN105655320B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2019-08-02

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 华天科技(昆山)电子有限公司;

    申请/专利号CN201610015756.2

  • 发明设计人 于大全;邹益朝;王晔晔;肖智轶;

    申请日2016-01-11

  • 分类号H01L23/522(20060101);H01L21/768(20060101);

  • 代理机构32212 昆山四方专利事务所;

  • 代理人盛建德;段新颖

  • 地址 215300 江苏省苏州市昆山市开发区龙腾路112号

  • 入库时间 2022-08-23 10:36:49

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2019-08-02

    授权

    授权

  • 2016-09-07

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L23/522 申请日:20160111

    实质审查的生效

  • 2016-09-07

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 23/522 申请日:20160111

    实质审查的生效

  • 2016-06-08

    公开

    公开

  • 2016-06-08

    公开

    公开

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