公开/公告号CN105655320B
专利类型发明专利
公开/公告日2019-08-02
原文格式PDF
申请/专利权人 华天科技(昆山)电子有限公司;
申请/专利号CN201610015756.2
申请日2016-01-11
分类号H01L23/522(20060101);H01L21/768(20060101);
代理机构32212 昆山四方专利事务所;
代理人盛建德;段新颖
地址 215300 江苏省苏州市昆山市开发区龙腾路112号
入库时间 2022-08-23 10:36:49
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2019-08-02
授权
授权
2016-09-07
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L23/522 申请日:20160111
实质审查的生效
2016-09-07
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 23/522 申请日:20160111
实质审查的生效
2016-06-08
公开
公开
2016-06-08
公开
公开
机译: 使用加热的基板和冷却的电解液的硅通孔(TSV)中的铜芯片到芯片,电沉积芯片到晶圆和晶圆到晶圆的互连的方法
机译: 芯片到硅通孔(TSV)中-在芯片,芯片之间-晶片之间以及晶片之间-晶片之间电沉积铜互连的过程
机译: 通过导电硅酸盐和熔融电解质在全硅通孔(TSV)中电解沉积铜芯片到芯片,芯片到晶圆和晶圆到晶圆的互连的方法