作为用于先进互连的介电封顶阻挡层的含金属膜

摘要

提供一种形成用于半导体器件中的互连结构的方法。该方法开始于将低k块状介电层形成在基板上并接着在低k块状介电层中形成沟槽。在低k块状介电层上形成衬里层，该衬里层共形地沉积到该沟槽。在衬里层上形成铜层，该铜层填充沟槽。移除铜层与衬里层的部分以形成低k块状介电层、衬里层与铜层的上表面。在低k块状介电层、衬里层与铜层的上表面上形成含金属介电层。