一种基于GaN水平纳米线交叉结的多端电子器件制备方法

摘要

本发明公开了一种基于GaN水平纳米线交叉结的多端电子器件制备方法，将衬底清洗、蒸镀金属薄膜后；在HVPE设备中翻转衬底，使衬底上蒸镀有金属薄膜的一面向下并且与下方石墨盘之间设置有一定间隙，通过VLS方法在衬底上生长纳米线交叉结；然后经过王水处理、光刻和退火处理形成欧姆接触。本发明通过在蒸镀有金属薄膜的一面与石墨盘之间设置一定间隙，保证气流通常，同时能控制生成的水平GaN纳米线交叉结与衬底紧密相连，无需进行转移，增强器件性能稳定性，并且在后续制作过程中只需要使用普通光刻，制备成本低。本发明作为一种基于GaN水平纳米线交叉结的多端电子器件制备方法可广泛应用于微电子领域。